SiC-Wafer，Seed-Wafer und Substrate
Type D205
Type D220
Type D230
SiC ingot
Type IG200
Type IG250
Type IG300
SiC-Kristallwachstumsanlagen
Type TCDZ-300
Type TCDZ-300
Die Kernanlage für das Wachstum von Siliziumkarbid-Einkristallen ist derzeit zugleich das vorteilhafteste System zur Herstellung großformatiger Einkristalle. Das Funktionsprinzip basiert darauf, dass elektrischer Strom mit niedriger Spannung und hoher Stromstärke durch Graphitelektroden geleitet wird, wodurch mittels Joule’scher Wärme der Tiegel indirekt erhitzt wird. Dadurch werden die für das Einkristallwachstum erforderlichen Temperaturen, Atmosphärenbedingungen und Temperaturgradienten bereitgestellt.
Zu den wesentlichen Eigenschaften gehören die einfache Realisierung einer mehrzonigen, unabhängig steuerbaren Beheizung zur präzisen Kontrolle der Temperaturgradienten, gleichmäßige Isothermen, geringe radiale Temperaturgradienten sowie eine schnelle und stabile Kristallwachstumsrate.